退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN114000191A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN202111269150.9
发明设计人 方海生;安巧如;刘胜;
申请日2021-10-29
分类号C30B23/06(20060101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人夏倩
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 14:06:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-24
授权
发明专利权授予
机译: 分子束外延系统和减少分子束外延系统中过剩通量的方法
机译: 快速,均匀加热包含高导电性的两种结构的离子导电大分子材料的薄膜的多层组件的快速均匀加热方法
机译:在商用4英寸GeN-III分子束外延单晶片反应器中使用双区衬底加热器提高衬底温度均匀性
机译:分子束的角分布和均匀层生长:分子束外延中几何参数的优化
机译:适用于生产的等离子辅助分子束外延可在4英寸SiC上重现和均匀编辑Editor's Choice GaN基HEMT
机译:一种两级分子束外延生长方法,用于在Si(L 00)上制造小和均匀Ge量子点
机译:一种用于减小FDM零件各向异性的过程中激光局部预沉积加热方法的研究。
机译:用于分子束外延生长自催化InAs纳米线的石墨平台
机译:通过旋转带有分子束外延的衬底支架来生长极其均匀的层,以用于电光和微波设备
机译:分子束外延和反应沉积外延生长Cosi2 / si异质结构的均匀性和结晶质量