公开/公告号CN113982703A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 上海理工大学;
申请/专利号CN202111434818.0
发明设计人 黄典贵;
申请日2021-11-29
分类号F01D15/10(20060101);F01K11/02(20060101);F01K19/02(20060101);H02J3/28(20060101);H02J15/00(20060101);
代理机构31204 上海德昭知识产权代理有限公司;
代理人郁旦蓉
地址 200093 上海市杨浦区军工路516号
入库时间 2023-06-19 14:03:27
机译: 电子设备的结构的真空溅射法,控制溅射材料和掺杂剂的蒸气的生长结构和生长时的掺杂浓度的控制方法,以实现上述的控制方法,以及基于硅的材料的真空注入的方法蒸气源
机译: 基于电力系统实时环境的储能操作系统及方法
机译: 电力系统,用于电力系统的计算设备以及用于在电力系统上执行控制动作的基于计算机的方法