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硅-氮化硅三维集成偏振无关波长选择光开关阵列芯片

摘要

一种硅‑氮化硅三维集成偏振无关波长选择光开关阵列芯片,包括输入耦合器、偏振旋转分束器、波长选择光开关阵列、波导层间耦合器、偏振旋转合束器和输出耦合器。利用硅‑氮化硅三维集成,实现工艺容差大、控制简便的氮化硅微环光开关,低损耗、低串扰的波导交叉结以及高效率的波导层间耦合器。在氮化硅微环上集成微加热器来调谐谐振波长与输入光信号的波长通道匹配,支持波长选择路由。利用偏振旋转分束和合束器,仅用单个光开关阵列即可实现偏振无关操作,不需要外部偏振控制,解决目前硅光芯片对偏振敏感问题,并能够兼容偏振复用信号。该芯片支持波长粒度、偏振复用光信号在任意端口间路由,具有结构紧凑、控制简便等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN113985521A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN202111233583.9

  • 申请日2021-10-22

  • 分类号G02B6/12(20060101);G02B6/293(20060101);G02B6/35(20060101);

  • 代理机构31317 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张宁展

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2023-06-19 14:01:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-09

    授权

    发明专利权授予

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