一种InGaN/GaN多量子阱蓝色激光电池外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱蓝色激光电池外延片及其制备方法，属于蓝色激光电池外延片技术领域。外延片包括Al2O3衬底，Al2O3衬底顶面设置有AlN成核层，AlN成核层顶面设置有GaN本征层，GaN本征层顶面设置有n‑GaN层，n‑GaN层顶面设置有In0.04Ga0.96N/GaN超晶格层，In0.04Ga0.96N/GaN超晶格层顶面设置有u‑GaN层，u‑GaN层顶面设置有In0.26Ga0.74N/GaN多量子阱层，本发明提高了In0.26Ga0.74N/GaN多量子阱层界面的Al0.1Ga0.9N势垒层高度，改进了p‑GaN的结晶质量，减小了界面态浓度，降低了p‑GaN层的非辐射复合中心，提高了InGaN/GaN多量子阱蓝色激光电池的性能。