一种InAs/AlxGa1-xSb缓变超晶格过渡层、具有缓变过渡层的InAs/GaSb势垒型红外探测器及生长方法

摘要

本发明公开了一种InAs/AlxGa1‑xSb缓变超晶格过渡层、具有缓变过渡层的InAs/GaSb势垒型红外探测器及生长方法，其中缓变超晶格过渡层由多个超晶格原胞重复堆叠N个周期形成，超晶格原胞包括InAs层，第一InAsxSb1‑x层，AlxGa1‑xSb层，第二InAsxSb1‑x层，相邻超晶格原胞对应层的厚度、AlxGa1‑xSb组分单调渐变，采用本发明结构的缓变超晶格过渡层及势垒型红外探测器，使过渡层的能带结构过渡平滑，消除因材料参数突变而产生的带阶，提高器件载流子输运性能与量子效率。