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一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构及其制造方法,电路结构包括衬底、超导结构和正常金属层;所述超导结构设置在所述衬底上,所述正常金属电连接所述超导结构的底电极,所述正常金属层用于抑制超导数字电路制造中产生的准粒子,所述准粒子为库伯对被拆开后的电子。本发明的超导数字电路能够有效的抑制超导数字电路中准粒子中毒。

著录项

  • 公开/公告号CN113937212A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202111194146.0

  • 发明设计人 林志荣;刘匡;

    申请日2021-10-13

  • 分类号H01L39/02(20060101);H01L39/24(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人赵琴

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2023-06-19 13:54:12

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