公开/公告号CN113820918A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 上海芯刻微材料技术有限责任公司;
申请/专利号CN202110979405.4
申请日2021-08-25
分类号G03F7/004(20060101);
代理机构31283 上海弼兴律师事务所;
代理人王卫彬;马续红
地址 201616 上海市松江区思贤路3600号11号楼东侧
入库时间 2023-06-19 13:46:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-08-25
授权
发明专利权授予
机译: 盐酸盐作为光生酸剂和光阻组合物,其组成适用于ARF准分子激光光刻,KRF准分子激光光刻和ARF浸没光刻
机译: 盐,产酸剂,光刻胶组合物和生产光刻胶图案的方法
机译: 制造半导体器件,例如动态随机存取存储器,通过使用光刻胶聚合物去除剂组合物和硫酸和乙酸,过氧化氢或臭氧,氟化铵形成光刻胶图案