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公开/公告号CN113809187A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-17
原文格式PDF
申请/专利权人 长沙理工大学;
申请/专利号CN202110952178.6
发明设计人 李茜;李子园;袁小明;何军;左鑫荣;黄志伟;
申请日2021-08-19
分类号H01L31/0236(20060101);H01L31/0304(20060101);B82Y20/00(20110101);
代理机构43222 长沙明新专利代理事务所(普通合伙);
代理人叶舟
地址 410114 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号
入库时间 2023-06-19 13:45:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-30
授权
发明专利权授予
机译: 磷化铟/砷化铟镓磷化物埋入异质结构半导体的结构
机译: 制造磷化铟/砷化镓铟磷化氢埋入异质结构半导体激光器的新结构和新方法
机译:在砷化铟镓/磷化铟和砷化镓衬底上生长的自组装砷化铟纳米结构形成的有力研究
机译:运输中硅,砷化镓,砷化铟镓热载流子和半导体的GaN亚微米结构与辐射缺陷纳米尺寸簇
机译:07;基于的AlGaAs /砷化镓/砷化铟镓-geterostruκtur在波长905纳米09全光调制器单元
机译:基于磷化铟 - 氧化铟,磷化铟,铟 - 砷化镓和铟 - 镓 - 抗衍生物的光伏电池效率提高
机译:MBE在纳米图案化的衬底上生长高度有序的砷化铟/砷化镓和砷化铟镓/砷化镓量子点。
机译:砷化铟锡纳米线的组合扫描探针电学和热学表征
机译:砷化镓铟/铝铟砷化物和砷化镓铝铟砷/铝铟砷化物MQW器件在1.3μm的室温载流子寿命和光学非线性
机译:砷化镓,磷化铟,砷化铟和锑化镓中电子和空穴高能迁移的理论研究。