一种基于PT对称原理的MEMS谐振式磁场传感器及其使用方法

摘要

本发明公开了一种基于PT对称原理的MEMS谐振式磁场传感器及其使用方法，包括左谐振器和右谐振器，所述左谐振器和右谐振器呈左右镜像对称结构，且通过耦合弹簧相连接；左谐振器和右谐振器分别外连阻尼调制电路，阻尼调制电路控制左谐振器和右谐振器的等效阻尼大小相等，符号相反，形成PT对称谐振器系统；还包括左直流电源和右直流电源，所述左直流电源加载在左谐振器上，形成自上向下的直流电流，所述右直流电源加载在右谐振器上，形成自下而上的直流电流，在洛伦兹力的作用下，左右谐振器之间的耦合系数改变，进而改变了PT对称谐振系统的谐振频率，通过阻尼大小调制，使得PT对称谐振器系统工作在耦合系数和损耗参数相等的奇异点，大幅度提高传感器的敏感度。