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一种钐掺杂PZT压电纳米粉体及其制备方法和应用

摘要

本发明提供了一种钐掺杂PZT压电纳米粉体及其制备方法和应用。本发明通过水热掺杂工艺并添加烷基聚氧乙烯醚的方式制备得到钐掺杂PZT压电纳米粉体,可有效减小所制备粉体材料的粒径,并对应提高其压电性能;且制备方法简单,成本低。该钐掺杂PZT压电粉体的粒径为300~400nm;压电常数d33高达510pC/N,将其制备成压电陶瓷可有效用于压电器件。

著录项

  • 公开/公告号CN113683414A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 韶关东阳光自动化设备有限公司;

    申请/专利号CN202110801977.3

  • 申请日2021-07-15

  • 分类号C04B35/491(20060101);C04B35/626(20060101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人陈娟

  • 地址 512700 广东省韶关市乳源县乳城镇龙船湾下坝开发区模具车间三号厂房

  • 入库时间 2023-06-19 13:23:06

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