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酞菁铜薄膜与聚酰亚胺复合封装的酞菁铜薄膜二极管

摘要

本发明为酞菁铜薄膜与聚酰亚胺复合封装的酞菁铜薄膜二极管。其组成包括:玻璃衬底,金属Cu薄膜,酞菁铜有机层,金属Al薄膜和封装层组成。其特征在于,所述的封装层包括酞菁铜薄膜封装层和聚酰亚胺封装层,酞菁铜薄膜与聚酰亚胺形成复合封装。酞菁铜薄膜与聚酰亚胺形成的复合封装层可以有效阻隔水氧,从而大大稳定了酞菁铜薄膜二极管的性能,还大大提高了器件的稳定性,延长器件的使用寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN113690200A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨理工大学;

    申请/专利号CN202111083925.3

  • 发明设计人 王东兴;高小婷;冯高旭;

    申请日2021-09-15

  • 分类号H01L23/31(20060101);H01L29/861(20060101);H01L21/56(20060101);H01L23/29(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

  • 入库时间 2023-06-19 13:21:35

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