公开/公告号CN113670863A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 北京计算机技术及应用研究所;
申请/专利号CN202110942317.7
申请日2021-08-17
分类号G01N21/63(20060101);G01N21/55(20140101);
代理机构11011 中国兵器工业集团公司专利中心;
代理人刘瑞东
地址 100854 北京市海淀区永定路51号
入库时间 2023-06-19 13:20:03
机译: 光生载流子寿命测定装置及光生载流子寿命测定方法
机译: 光生载流子寿命测定方法,光入射效率测定方法,光生载流子寿命测定装置以及光入射效率测定装置
机译: 二维探测辐射位置的半导体检测器和二维辐射探测方法的相同