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二维半导体材料中光生载流子的差分反射探测方法

摘要

本发明涉及一种二维半导体材料中光生载流子的差分反射探测方法,属于超快激光泵浦探测领域。本发明利用二维半导体材料价带电子吸收光子并发生跃迁至导带的原理,在超快激光的激发下,通过测量二维半导体材料的反射光的方式,得到了微观电子的动力学过程。所述超快激光为脉冲持续时间在100飞秒左右、重复频率为80MHz、带宽为10纳米左右的相干光源,保证了光学测量的时间分辨率。本发明具有瞬时响应和飞秒—皮秒级别的时间分辨率。和宏观电学的电流探测手段相比,灵敏度更高,适用于微观探测领域,同时避免了电极材料对测量结果的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN113670863A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京计算机技术及应用研究所;

    申请/专利号CN202110942317.7

  • 发明设计人 姚鹏;李昱江;杨林;王浩枫;

    申请日2021-08-17

  • 分类号G01N21/63(20060101);G01N21/55(20140101);

  • 代理机构11011 中国兵器工业集团公司专利中心;

  • 代理人刘瑞东

  • 地址 100854 北京市海淀区永定路51号

  • 入库时间 2023-06-19 13:20:03

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