首页> 中国专利> 一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器

一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器

摘要

本发明公开了一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器,该激光器由衬底,布拉格反射镜(DBRs),有源增益层,金属层和金属圆柱阵列组成。在性能上与传统的激光器相比,本发明的激光器谐振腔具有超窄线宽,进而使得Q值很高,阈值很低。在制备上,在实际的器件制备中用银层代替了传统的上层DBR,减少了激光器的体积。且本发明采用半导体增益材料替代了传统的增益,大大减小了制备工艺的复杂性,同时极大节约了激光器的制作成本,展示出了巨大的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN113659430A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN202110820386.0

  • 申请日2021-07-20

  • 分类号H01S5/10(20210101);H01S5/30(20060101);H01S5/125(20060101);

  • 代理机构33240 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人杨舟涛

  • 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

  • 入库时间 2023-06-19 13:16:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-11

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号