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公开/公告号CN113659430A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-16
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN202110820386.0
发明设计人 王涛;杨杰;张浩然;常浩泽;王高峰;
申请日2021-07-20
分类号H01S5/10(20210101);H01S5/30(20060101);H01S5/125(20060101);
代理机构33240 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人杨舟涛
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
入库时间 2023-06-19 13:16:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-11
授权
发明专利权授予
机译: 低阈值电流密度半导体激光器-具有通过选择性粒子辐照产生的低电导率的电流路径限制区域
机译: 助听器的目标增益曲线确定方法,涉及基于选定的声音传导部分来对测量的阈值水平进行均衡,以及基于水平的阈值水平来确定目标增益曲线
机译: 半导体激光器装置,用于一种这样的半导体激光器装置的半导体激光器模块以及用于制造一种这样的半导体激光器装置的方法
机译:磷光Ir(Ⅲ)配合物作为三重态敏化剂的低阈值有机半导体激光器
机译:基于若丹明染料掺杂的高增益聚合物的低阈值光子晶体激光器
机译:基于成分对称半导体纳米线的低阈值纳米线激光器
机译:基于受限Tamm等离子体激元的混合金属/半导体激光器
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:增益切换多模半导体激光器的脉冲振荡的时间同步度
机译:基于组分对称半导体纳米线的低阈值纳米线激光器
机译:基于增益而无反转的超低阈值半导体激光器。