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一种万瓦级GaN基固态功率源系统及其制造方法

摘要

本发明公开了一种万瓦级GaN基固态功率源系统及其制造方法,系统包括高效率GaN功放单元、微波信号控制单元、多层级散热单元和智能管控单元,所有单元集成在4U标准机柜内;所述高效率GaN功放单元实现万瓦级功率,微波信号控制单元实现稳定射频微波,多层级散热单元保证了系统的安全性,智能管控单元保证了系统运行稳定性和可调控性。本发明采用采用高效率GaN功放单元实现万瓦级功率源的高集成度和小尺寸,有效满足了单机柜的系统集成,同时采用多层级散热单元解决万瓦级功率产生的热可靠性隐患,有效保证了功率源系统性能的稳定性和系统安全性;相比传统的磁控管结构功率源系统,其尺寸更小、稳定性和可靠性更高。

著录项

  • 公开/公告号CN113611695A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202110781461.7

  • 发明设计人 郭怀新;陈堂胜;韩煦;姜文海;

    申请日2021-07-12

  • 分类号H01L25/16(20060101);H01L23/473(20060101);H01L23/373(20060101);H01L23/367(20060101);H01L21/52(20060101);

  • 代理机构32203 南京理工大学专利中心;

  • 代理人陈鹏

  • 地址 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

  • 入库时间 2023-06-19 13:09:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-05

    授权

    发明专利权授予

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