公开/公告号CN113611695A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司;
申请/专利号CN202110781461.7
申请日2021-07-12
分类号H01L25/16(20060101);H01L23/473(20060101);H01L23/373(20060101);H01L23/367(20060101);H01L21/52(20060101);
代理机构32203 南京理工大学专利中心;
代理人陈鹏
地址 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室
入库时间 2023-06-19 13:09:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-05
授权
发明专利权授予
机译: 外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译: 外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译: 制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器