法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-30
授权
发明专利权授予
机译: 可以双向阻隔的可控半导体元件在第一和第二导电区之间实现更高的阻隔电压-具有带有用于连接连接电极的强掺杂区的第一导电区和包含强掺杂区的弱掺杂区
机译: 可变电容电容器具有掺杂有沟道导体层的衬底,该衬底安装有外部沟道第二掺杂和内部隔离区域,内部隔离区域具有形成电压阈值路径的强掺杂导体。
机译: 半导体组件,即MOSFET,具有半导体本体,该半导体本体包括p掺杂的本体区和比本体区更强掺杂的接触区,以及强n掺杂的源极区,布置在组件的正面和接触区之间