基于隐埋AlTiO3终端结构的4H-SiC肖特基二极管及制备方法

摘要

本发明涉及一种基于隐埋AlTiO3终端结构的4H‑SiC肖特基二极管，包括：自下而上依次层叠设置的欧姆接触电极、N型SiC衬底层、N型SiC外延层和肖特基接触电极，其中，N型SiC外延层内设置有若干隐埋终端保护区，隐埋终端保护区为封闭环结构并依次绕设于肖特基接触电极的外围，若干隐埋终端保护区自上而下呈阶梯状设置，且其与N型SiC外延层两侧面之间的间距自上而下依次减小。本发明的肖特基二极管，设置有若干隐埋终端保护区，该隐埋终端保护区可以将器件表面的电场集中逐步引入到器件内，避免了器件提前击穿现象，提高器件的可靠性，提高了器件在正常的静态特性下的反向耐压能力，器件制备过程中对表面钝化层工艺的要求降低，从而降低器件整体的制备难度。