一种基于铁电拓扑态畴壁超磁阻效应的传感器及其制备方法

摘要

一种基于铁电拓扑态畴壁超磁阻效应的传感器，包括顶电极、铁酸铋(BFO)纳米岛和底电极，所述BFO纳米岛设于顶电极和底电极之间，且其可在外加直流偏压下由初始之字型畴结构转变为涡旋畴结构；当BFO纳米岛处于涡旋畴结构时，其涡心为一维的拓扑缺陷且具有明显高于畴区的类金属导电性；当外加磁场为0时，涡心处形成的一维导电通道可导电；当具有外加磁场时，电流在涡心处发生偏转，涡旋畴结构导电性下降，呈现出超磁阻效应。本发明还提供一种上述传感器的制备方法。相比于现有技术，该传感器具有高密度、高有序性，且在室温下具有明显的磁阻特性，同时制备工艺简单、稳定性高。