一种具有超结双沟道栅的高压MOSFET器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有超结双沟道栅的高压MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：N+衬底区；N‑外延区，设置于N+衬底区上；P型基区，设置于N‑外延区内；有源区，设置在P型基区上；沟槽栅结构，设置于N‑外延区内，且与P型基区和有源区中的N+注入区相邻；金属层，设置于有源区上方，且与沟槽栅结构通过绝缘层隔开，以作为器件的源极；其中，N‑外延区内设有多个P型列；P型列起始于P型基区下表面，并向N‑外延区内延伸，同时在N‑外延区内形成N型列，且P型列的宽度小于基区的宽度。本发明提供的MOSFET器件平衡了低导通电阻和高击穿电压之间的关系，实现了优良的器件性能。