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基于低成本金属和透明导电氧化物的复合薄膜电极及其在钙钛矿光电器件中的应用

摘要

本发明公开了一种复合薄膜电极及其在钙钛矿光电器件中的应用。所述复合薄膜电极包括依次复合的透明导电氧化物层和低成本金属层,透明导电氧化物层的材质为氧化铟锡、掺杂氟的氧化锡、掺钨氧化铟、氧化铟锌、掺杂铝的氧化锌和氧化锌锡中任一种及其组合,低成本金属层的材质为铜、铝、镍、锌、锡、铁和银中任一种及其合金和组合。本发明提供了基于低成本金属和透明导电氧化物的复合薄膜电极,并将其成功应用于以钙钛矿太阳能电池为代表的钙钛矿光电器件中,在实现钙钛矿光电器件较高光电转换效率基础上,大幅提高了钙钛矿光电器件的综合稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN113488594A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN202110768194.X

  • 申请日2021-07-05

  • 分类号H01L51/44(20060101);H01L51/42(20060101);H01L51/48(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人王春霞

  • 地址 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室

  • 入库时间 2023-06-19 12:49:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-20

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L51/44 专利申请号:202110768194X 登记生效日:20220509 变更事项:申请人 变更前权利人:清华大学 变更后权利人:深圳无限光能技术有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室 变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙四路2号安博科技宝龙厂区2号厂房301

    专利申请权、专利权的转移

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