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一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料及其制备方法和应用,采用一步溶剂热法在泡沫镍表面原位生成NiS/Ni3S2纳米棒异质结构电极材料,具有优异的电化学性能,其最大比容量为230.3mAh g‑1。在其制备过程中,原材料廉价易得,反应条件温和、时间短、成本低、低毒,并且无模板和无表面活性剂,更易应用于工业生产。

著录项

  • 公开/公告号CN113470980A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN202010237080.8

  • 发明设计人 陈亚楠;陈方帅;邓意达;胡文彬;

    申请日2020-03-30

  • 分类号H01G11/24(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/86(20130101);

  • 代理机构12214 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王秀奎

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2023-06-19 12:46:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-11

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G11/24 专利申请号:2020102370808 申请公布日:20211001

    发明专利申请公布后的驳回

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