公开/公告号CN113410196A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 西安微电子技术研究所;
申请/专利号CN202110662033.2
申请日2021-06-15
分类号H01L23/48(20060101);H01L23/482(20060101);H01L25/18(20060101);H01L21/60(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人姚咏华
地址 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号
入库时间 2023-06-19 12:37:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-30
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L23/48 专利申请号:2021106620332 登记生效日:20230620 变更事项:申请人 变更前权利人:西安微电子技术研究所 变更后权利人:珠海天成先进半导体科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号 变更后权利人:519080 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层628室(集中办公区)
专利申请权、专利权的转移
机译: 一种用于制造具有iii-v-层结构的硅半导体晶片的方法,该结构用于将硅成分与基于高电子迁移率晶体管(半金属)的iii-v-层结构族和相应的半导体层布置集成
机译: 结构类型为chabazita的硅铝磷灰石的制备方法,结构为chabazita的硅铝硅磷灰石,结构为chabazita的硅铝磷灰石为基的分子筛的制造方法以及基于发色的硅铝铝磷化石为基的分子筛的制造方法
机译: 结构类型为chabazita的硅铝磷灰石的制备方法,结构为chabazita的硅铝硅磷灰石,结构为chabazita的硅铝磷灰石为基的分子筛的制造方法以及基于发色的硅铝铝磷化石为基的分子筛的制造方法