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一种基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构及其制备方法,TSV硅转接基板上依次堆叠有FPGA管芯、转接板和PROM管芯,TSV硅转接基板、FPGA管芯、转接板和PROM管芯之间采用引线键合。在TSV硅转接基板上依次堆叠粘接FPGA管芯、转接板和PROM管芯;再采用金丝球焊工艺,将FPGA芯片Pad与TSV硅转接基板上Pad、PROM芯片Pad与转接板上Pad和转接板上Pad与TSV硅转接基板上Pad依次进行引线缝合,完成集成结构的制备。在硅片上高效的集成了FPGA管芯和PROM管芯,具有体积小、功耗低、性能优的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN113410196A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安微电子技术研究所;

    申请/专利号CN202110662033.2

  • 申请日2021-06-15

  • 分类号H01L23/48(20060101);H01L23/482(20060101);H01L25/18(20060101);H01L21/60(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人姚咏华

  • 地址 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号

  • 入库时间 2023-06-19 12:37:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-30

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L23/48 专利申请号:2021106620332 登记生效日:20230620 变更事项:申请人 变更前权利人:西安微电子技术研究所 变更后权利人:珠海天成先进半导体科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号 变更后权利人:519080 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层628室(集中办公区)

    专利申请权、专利权的转移

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