公开/公告号CN113391130A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 佛山市川东磁电股份有限公司;
申请/专利号CN202110815725.6
申请日2021-07-19
分类号G01R27/02(20060101);G08B21/18(20060101);G08B21/24(20060101);
代理机构11833 北京化育知识产权代理有限公司;
代理人尹均利
地址 528500 广东省佛山市高明区杨和镇沧江工业园和顺路372号
入库时间 2023-06-19 12:35:33
机译: -一种自对准硅化物工艺,可实现与低电阻绝缘薄膜硅绝缘MOSFET的低电阻接触
机译: 一种在单晶基础上形成的电阻中实现精确调节的高电阻的方法
机译: 一种在halbleiterkoerper凸起的halbleiterschicht中测量低电阻率的电阻率的方法以及该程序的实现方法