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公开/公告号CN113322522A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202110629862.0
发明设计人 兰长勇;邹瑞森;李春;
申请日2021-06-07
分类号C30B29/46(20060101);C30B29/64(20060101);C30B25/02(20060101);C23C16/448(20060101);C23C16/30(20060101);
代理机构
代理人
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 12:24:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-08
授权
发明专利权授予
机译: 排列成大面积单畴的有机分子的柱状或层状结构的制备方法
机译: 镍促进层合成含大面积六角形晶体的二硫化钨薄膜的方法
机译: 铅促进层合成大面积菱形晶体的二硫化钨薄膜的工艺
机译:一种新型的YBa2Cu3Oy的制备方法,该薄膜具有厚膜的尺寸和单畴块的微观结构
机译:外延薄膜中的弹性畴结构以及多畴和单畴状态之间的过渡-艺术。没有。 094102
机译:通过VLS机理在6H-SiC上外延生长的单畴3C-SiC
机译:研究铁电畴结构和动力学对多畴外延钛酸钡薄膜的电光性能的影响。
机译:通过化学气相沉积法生长的具有大单畴的大面积WS2膜
机译:通过化学气相沉积生长的单个六方单层二硫化钨畴内的光致发光分割。
机译:超薄pbTiO3薄膜中单畴极化的稳定性。