一种基于PB试验和正交试验的微流控芯片注塑工艺参数优化方法

摘要

本发明公开了一种基于PB试验和正交试验的微流控芯片注塑工艺参数优化方法，该方法包括：(1)选取芯片顶出时的体积收缩率为优化目标；(2)选取影响芯片收缩变形的因子；(3)确定PB试验方案；(4)对(3)中方案进行模拟分析；(5)对(4)中的结果进行数据处理得出影响芯片收缩变形的显著性因素；(6)对(5)中的显著性因子设计带有交互作用的正交试验方案表；(7)对(6)中方案进行模拟分析；(8)确定分析优化目标得到其均值主效应图；(9)分析(8)中的试验结果；(10)和优化之前的结果进行对比，得出最优工艺参数组合。本发明有效减少试验次数并可分析各因子交互作用的影响，可高效地优化工艺参数，提高芯片质量。