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公开/公告号CN113311471A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院近代物理研究所;
申请/专利号CN202110607864.X
发明设计人 方芳;唐述文;张永杰;余玉洪;孙志宇;陈俊岭;
申请日2021-06-01
分类号G01T1/24(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人王春霞
地址 730013 甘肃省兰州市城关区南昌路509号
入库时间 2023-06-19 12:22:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-26
授权
发明专利权授予
机译: 硅发光二极管,硅光晶体管,硅激光器及其制造方法
机译: 硅发光二极管,硅光晶体管,硅激光器及其制造方法。
机译:紫外敏感的无窗硅PIN光电二极管,用于Alpha射线光谱法
机译:一种用于光检测应用的石墨烯-硅肖特基二极管的简单制造方法
机译:无保护和场板保护的硅探测器二极管的击穿电压
机译:一种新的使用硅光电二极管捕获探测器的谱响应校准方法
机译:具有方向性击穿的金属/氢化非晶硅/晶体硅异质结构:一种低成本,高密度的PROM二极管阵列方法。
机译:基于硅 - 绝缘体光电二极管的角度敏感探测器用表面等离子体天线堆叠
机译:无窗硅漂移探测器
机译:pET探测器模块的性能利用硅光电二极管阵列来识别相互作用的晶体