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一种针对不同倾角入射的单粒子瞬态电流源建模方法

摘要

本发明提供一种针对不同倾角入射的单粒子瞬态电流源建模方法,解决传统电流源建模方法在推广到倾角入射情形时参数提取复杂、注入电荷总量估计不准确的问题。该方法综合考虑了入射位置、入射角度和有源区形状大小,能够更加合理准确的研究电路的单粒子效应并且预测其抗辐照能力。其包括:步骤一、获取待研究器件的版图;步骤二、确定离子在材料中的线性能量传输值,设定需要评估的离子在版图上的入射位置和入射方位角;步骤三、提取版图中的敏感节点轮廓,记录其在版图上的坐标;步骤四、获取不同倾角入射情况下的单粒子瞬态电流;步骤五、调用计算得到的单粒子瞬态电流,执行电路级仿真计算得到敏感节点的电压波形,并分析辐射效应结果。

著录项

  • 公开/公告号CN113158602A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北核技术研究所;

    申请/专利号CN202110460172.7

  • 申请日2021-04-27

  • 分类号G06F30/3308(20200101);

  • 代理机构61211 西安智邦专利商标代理有限公司;

  • 代理人郑丽红

  • 地址 710024 陕西省西安市灞桥区平峪路28号

  • 入库时间 2023-06-19 11:57:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-17

    授权

    发明专利权授予

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