基于45nm工艺的多金属异质栅介质抗辐照MOS场效应管及方法

摘要

本发明涉及一种基于45nm工艺的多金属异质栅介质抗辐照MOS场效应管及方法，方法包括：SOI材料制备；衬底掺杂；沟槽制备；STI填充；多栅氧化层制备；多金属异质栅制备；制作轻掺杂源漏；侧墙制备；制作源漏区；清洗表面，器件完成。本发明中引入多金属异质栅结构，通过不同的栅金属与栅介质的组合，提高了器件的电学性能，消除了场氧陷阱引起的敏感参数退化，使得器件在辐照环境中泄漏电流减小，消除了寄生效应对器件阈值电压漂移的影响，提高了器件工作可靠性与抗总剂量辐照的能力。