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一种具有窄的荧光发射峰半峰宽的荧光碳点及其制备方法

摘要

本发明公开一种具有窄的荧光发射峰半峰宽的荧光碳点的制备方法,所述制备方法包括:将平面共轭大环类化合物分散至溶剂中,在120‑250℃下反应6‑48h,过滤、纯化得到具有窄的荧光发射峰半峰宽的荧光碳点;所述平面共轭大环类化合物选自酞菁及其衍生物、卟啉及其衍生物、五氮齿及其衍生物、噻吩及其衍生物;其中,当共轭大环类化合物中包括有金属元素时,所述金属元素选自第Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ主族。该方法以特定的平面共轭大环类化合物为原料,经过简单、环保的溶剂热法可制备得到具有超窄荧光发射峰半峰宽的荧光碳点。

著录项

  • 公开/公告号CN113122245A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院理化技术研究所;

    申请/专利号CN201911394936.6

  • 发明设计人 周树云;王真;谢政;

    申请日2019-12-30

  • 分类号C09K11/65(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y40/00(20110101);C01B32/184(20170101);

  • 代理机构11257 北京正理专利代理有限公司;

  • 代理人赵晓丹

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村东路29号

  • 入库时间 2023-06-19 11:54:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-02-17

    授权

    发明专利权授予

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