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一种提高固态盘内3D闪存芯片写性能的优化方法

摘要

本发明公开了一种提高固态盘内3D闪存芯片写性能的优化方法,本发明以一个以3D‑flash和MLC为存储介质的混合固态盘为参考,同时假设3D‑flash单个数据页面大小为16K以及单个MLC数据页大小为4K,本方案可充分利用写请求大小未达到一张页面大小的特征,从而减少了闪存的写操作次数,有效延长了闪存的使用寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN113126921A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南昌航空大学;

    申请/专利号CN202110368279.9

  • 发明设计人 何丹;徐文;何英;梅圆;严思香;

    申请日2021-04-06

  • 分类号G06F3/06(20060101);G06F12/1009(20160101);

  • 代理机构36111 南昌洪达专利事务所;

  • 代理人马莉

  • 地址 330000 江西省南昌市丰和南大道696号

  • 入库时间 2023-06-19 11:52:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    授权

    发明专利权授予

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