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公开/公告号CN113098467A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-09
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202110225825.3
发明设计人 李世彬;黄志茗;蒲熙;庞统猛;
申请日2021-03-01
分类号H03K17/30(20060101);
代理机构51244 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人贾波;贺立中
地址 610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 11:45:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-26
授权
发明专利权授予
机译: 高效的电池交换系统,可降低多阈值电压过程中的泄漏功率
机译: 多阈值电压过程中用于降低泄漏功率的有效电池交换系统
机译: 降低CMOS电路中的泄漏功率
机译:基于行的功率门控:一种用于纳米CMOS电路中泄漏功率优化的新型睡眠晶体管插入方法
机译:利用泄漏控制晶体管和多阈值CMOS技术设计低功耗CMOS电路
机译:降低CMOS电路中的泄漏功率的回顾
机译:一种新颖的动态功率截止技术(DPCT),用于主动降低深亚微米CMOS电路中的泄漏
机译:一种新颖的动态功率截止技术(DPCT),用于降低深亚微米VLSI CMOS电路中的有源泄漏。
机译:一种基于直方图区域合并的多阈值分割MR脑图像算法
机译:超低功率CMOS电路的门级泄漏功率降低方法†
机译:多阈值互补金属氧化物半导体(mTCmOs)总线电路和通过脉冲待机开关降低总线功耗的方法。