一种检测直拉重掺硅单晶生长纹理的方法

摘要

本发明公开了一种检测直拉重掺硅单晶生长纹理的方法。包括以下步骤：选择完整的直拉重掺硅单晶，截取单晶头部的圆锥和圆柱部分；纵向剖开取样片；在室温条件下对样片表面进行混酸腐蚀处理，然后纯水清洗至镜面效果，酸液为氢氟酸和硝酸的混合酸；对样片进行热氧化处理；使用质量百分比浓度为40％的氢氟酸对样片进行去氧化膜处理；对样片进行二次混酸腐蚀处理，然后纯水清洗至镜面效果，酸液为氢氟酸和硝酸的混合酸；对样片进行择优腐蚀处理，然后纯水洗净、氩气或N2吹扫使其表面干燥；在暗室内强光下或使用扫描仪成像观察其表面呈现的生长纹理形貌。本发明能够有效检测直拉重掺硅单晶在生长过程中纹理变化，操作简单易实现，可节约巨额设备支出。