一种忆阻耦合Hindmarsh-Rose神经元电路

摘要

本发明公开了一种忆阻耦合Hindmarsh‑Rose神经元电路，应用于神经元电路设计技术领域，包括分数阶磁通控制的理想忆阻器、分数阶双曲型忆阻器和分数阶阈值忆阻器；分数阶磁通控制的理想忆阻器和分数阶双曲型忆阻器分别引入到二维Hindmarsh‑Rose神经元模型中构建第一三维Hindmarsh‑Rose神经元模型、第二三维Hindmarsh‑Rose神经元模型；将两个三维Hindmarsh‑Rose神经元模型运用分数阶阈值忆阻器进行耦合。本发明通过建立两个不同的三维神经元模型，并使用分数阶阈值忆阻器进行耦合，具有丰富的放电行为，有效的反映出了人类大脑神经元的放电行为。