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一种低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金及其制备方法

摘要

本申请涉及一种低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金及其制备方法,所述合金的组成元素及原子百分数为:28%~32%Mn,8%~12%Cr,9%~12%Si,余量为Fe和不可避免的杂质元素;其中,所述合金中Mn、Cr、Si的总原子百分数不低于50%;所述合金中Fe和Mn的原子百分数之比不低于1.5;所述制备方法包括感应熔炼、均匀化退火处理、热轧处理及固溶处理步骤,其中所述固溶处理过程是在氩气保护下经1000~1100℃保温1~2h后水冷淬火。本申请提供的高熵形状记忆合金的原料成本低,易于制备和加工,并同时具有高强度、高塑性和良好的形状记忆效应,在舰艇自修复蒙皮、大型管道套筒接头、智能混凝土结构等领域有广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN112853230A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北工业大学;

    申请/专利号CN202110023664.X

  • 申请日2021-01-08

  • 分类号C22C38/38(20060101);C22C38/34(20060101);C22C30/00(20060101);C21D1/26(20060101);C21D1/74(20060101);C21D1/18(20060101);C21C5/52(20060101);C21D8/02(20060101);

  • 代理机构11641 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人万文会

  • 地址 710200 陕西省西安市友谊西路127号

  • 入库时间 2023-06-19 11:08:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-18

    授权

    发明专利权授予

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