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一种氧空位及Mn掺杂双缺陷二氧化铈纳米片及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种氧空位及Mn掺杂双缺陷二氧化铈纳米片及其制备方法与应用。本发明采用溶剂热‑焙烧热处理的方法,制备氧空位及Mn掺杂双缺陷二氧化铈纳米片电极材料。在焙烧热处理过程中CeOHCO3的分解,产生大量气体,会将纳米片进一步热剥离为更薄的二氧化铈纳米片,并且表面粗糙,比表面积进一步增大。本发明制备的电极材料实现了酸性条件下电催化氧化5‑羟甲基糠醛,从而为酸性条件下制备2,5‑呋喃二羧酸提供了一种可行性方案。

著录项

  • 公开/公告号CN112853385A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民大学;

    申请/专利号CN202011643663.7

  • 发明设计人 牟天成;牟红宇;

    申请日2020-12-31

  • 分类号C25B3/23(20210101);C25B11/077(20210101);C25B3/07(20210101);C25B3/05(20210101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人关畅

  • 地址 100872 北京市海淀区中关村大街59号

  • 入库时间 2023-06-19 11:08:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-23

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C25B 3/23 专利申请号:2020116436637 申请公布日:20210528

    发明专利申请公布后的驳回

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