一种碳化硅晶片单向四次双向八级台阶切割工艺

摘要

本发明公开了一种碳化硅晶片单向四次双向八级台阶切割工艺，通过上面在碳化硅晶锭厚度方向的对称位置第1次切割至最深位置；随后在左边和右边同样地进行3次切割到与第1次相同深度，从而建立起一个相对平缓的多次水射流宽度的面，这个面作为避免水柱干扰的第二深度切割的起始面；在中心对称线的左侧采用相同的喷口进行第2层首次切割到其最深深度；随后在厚度对称轴线的右侧进行2次切割，并达到与第2层首次切割的相同深度；进行第3层首次切割，以达到碳化硅晶锭半径以上深度。本发明通过台阶法切割实现单晶碳化硅晶锭的高深度切割，实现了高效率、高质量、低成本、低损伤、高出品率制备SiC单晶衬底，具有推广应用的价值。