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一种铁电辅助调控人工反铁磁固定层的SOT-MRAM

摘要

本发明公开了一种铁电辅助电场调控人工反铁磁固定层的自旋轨道矩磁随机存储器,涉及磁性/铁磁/铁电材料或结构的电路和器件及其应用领域,包括一个铁电层,一个电场调控的基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结及一个自旋轨道矩材料层。本发明还提供了基于自旋轨道矩‑磁性随机存储器的写入方法。其中铁电层产生极化电场和电荷转移效应使人工反铁磁固定层反铁磁耦合增强。本发明可以在电场和电流的共同作用下实现数据的稳定写入,具有密度高、功耗低、速度快、抗辐射性能好、非易失性等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN112701215A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN202011585087.5

  • 发明设计人 闵泰;周雪;郭志新;李桃;

    申请日2020-12-28

  • 分类号H01L43/08(20060101);G11C11/16(20060101);

  • 代理机构11429 北京中济纬天专利代理有限公司;

  • 代理人覃婧婵

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2023-06-19 10:43:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-06

    授权

    发明专利权授予

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