一种新型的单芯片化铂电阻信号调理电路及调理方法

摘要

本发明涉及一种新型的单芯片化铂电阻信号调理电路及调理方法。本发明包括输入运放Q1、输入运放Q2、输出运放Q3、PMOS管P1、输出驱动管N1、电流源IR1、电流源IR2、电阻R1、电阻R2和电阻R3，输入运放Q1的输出端和负输入端之间接电阻R1，输入运放Q2的负输入端分别接输入运放Q1的负输入端和PMOS管P1的源端，输入运放Q2的输出端接PMOS管P1的栅极，PMOS管P1的漏端接输出运放Q3的正输入端，输出运放Q3的输出端接输出驱动管N1的基极和输出运放Q3的负输入端，驱动管N1的集电极接电流源IR1、电流源IR2、PMOS管P1的源端和输入运放Q2的负输入端，驱动管N1的发射极接输出运放Q3的负输入端，输出运放Q3的正输入端接电阻R2，负输入端接电阻R3。本发明具有校准精度高，且试用温度范围广的优点。