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具有沟槽阵列结构的微纳单晶柔性光电探测器及其制备

摘要

本发明涉及一种具有沟槽阵列结构的微纳单晶柔性光电探测器及其制备,制备方法包括以下步骤:1)制备具有沟槽阵列微纳结构的硅模板;2)采用热压印方式将硅模板上的沟槽阵列微纳结构转移至柔性基底上;3)在柔性基底上制备钙钛矿微纳单晶;4)在柔性基底的钙钛矿微纳单晶上磁控溅射Cu电极,即得到具有沟槽阵列结构的微纳单晶柔性光电探测器。与现有技术相比,本发明可实现低成本、大面积构筑柔性光电探测器,且光电转换性能有所提升。

著录项

  • 公开/公告号CN112614945A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 同济大学;

    申请/专利号CN202011488706.9

  • 申请日2020-12-16

  • 分类号H01L51/48(20060101);H01L51/42(20060101);H01L51/44(20060101);

  • 代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴文滨

  • 地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号

  • 入库时间 2023-06-19 10:29:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-02-10

    授权

    发明专利权授予

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