基于薄势垒材料的太赫兹场效应探测器及其设计方法

摘要

本发明公开了一种基于薄势垒材料的太赫兹场效应探测器及其设计方法。所述太赫兹场效应探测器包括：用于提供二维电子气沟道的沟道层和势垒层；以及，源极、漏极、栅极和太赫兹天线；其特征在于，所述设计方法包括：至少依据栅极到二维电子气沟道之间的距离与天线因子成反比、与场效应因子成反比的关系确定栅极到二维电子气沟道之间的距离。本发明实施例提供的一种基于薄势垒材料的太赫兹场效应探测器，通过减小栅极到二维电子气沟道之间的距离，可对探测器的响应度得到平方倍地提高。