调制掺杂半导体激光器及其制造方法

摘要

一种调制掺杂半导体激光器包括：多量子阱，其由包括交替地堆叠的多个第一层和多个第二层的多个层构成，并且包括受体和供体；p型半导体层，其与多个层中的最上层接触；以及n型半导体层，其与多个层中的最下层接触，所述多个第一层包括所述受体，使得p型载流子浓度为p型半导体层的10％以上且150％以下，所述多个第二层包含所述受体，使得p型载流子浓度为p型半导体层的10％以上且150％以下，所述多个第二层包含供体，并且对应于p型载流子浓度与n型载流子浓度之差的有效载流子浓度为多个第二层的p型载流子浓度的10％以下。