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一种少层石墨烯修饰的氧空位二氧化锡材料及其制备方法

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本发明公开了一种少层石墨烯修饰的氧空位二氧化锡材料及其制备方法，通过制备尺寸均一、分散良好的二氧化锡纳米空心球粉体和具有少层特性且均匀性较高的氧化石墨烯，将氧化石墨烯包覆于二氧化锡表面，借助表面石墨烯、硼氢化钠及后续真空热处理，成功在二氧化锡纳米空心球体制造大量氧空位，得到氧空位SnO2@rGO复合材料。本发明方法操作简单，可以大批量投产，得到的复合材料具有对还原性气体非常高的灵敏度和循环稳定性，且可以作为超级电容器正极材料。

著录项

公开/公告号CN112357952A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-12

原文格式PDF
申请/专利权人重庆大学;
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申请/专利号CN202011248588.4
发明设计人陈素素;林栎阳;胡宁;
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申请日2020-11-10
分类号C01G19/02(20060101);C01B32/19(20170101);B82Y15/00(20110101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司;
代理人赵浩竹
地址 400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
入库时间 2023-06-19 09:54:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-11-11

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01G19/02 专利申请号:2020112485884 申请公布日:20210212

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