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针对治疗失忆类脑病的中医治疗仪

摘要

本发明公开了一种针对治疗失忆类脑病的中医治疗仪,包括脑电采集装置和脑电刺激装置,所述脑电采集装置包括第一头罩、矩阵式铺设在第一头罩内侧的多个脑电采集模块;所述脑电刺激装置包括第二头罩、矩阵式铺设在第二头罩内侧的多个刺激单元;还包括放大器、A/D转换器、控制器,所述控制器包括存储器、处理器、D/A转换电路、滤波电路、采样电路、脉冲放大电路,所述脑电采集模块、放大器、A/D转换器、存储器、处理器依次连接,所述处理器、D/A转换电路、滤波电路、采样电路、脉冲放大电路、刺激单元依次连接。本发明的针对治疗失忆类脑病的中医治疗仪能够提供比现有手段更为精确的电流刺激,可用于治疗失忆类脑病。

著录项

  • 公开/公告号CN112244837A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010734875.X

  • 发明设计人 牛萍;

    申请日2020-07-27

  • 分类号A61B5/256(20210101);A61B5/273(20210101);A61B5/291(20210101);A61B5/369(20210101);A61B5/00(20060101);A61N1/02(20060101);A61N1/04(20060101);A61N1/36(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 130021 吉林省长春市朝阳区工农大路1478号

  • 入库时间 2023-06-19 09:36:59

说明书

技术领域

本发明涉及一种针对治疗失忆类脑病的中医治疗仪。

背景技术

失忆症是由于脑部受创而产生的病症,主要分为心因性失忆症和解离性失忆症。失忆症的特点是主要是意识、记忆、身份、或对环境的正常整合功能遭到破坏,因而对生活造成困扰,而这些症状却又无法以生理的因素来说明。

目前,针对脑部受创后引发的失忆症目前尚无明确的治疗措施,通常是以心理治疗为主,包括找出并适当处理压力源、适度的倾听、催眠治疗或以药物辅助式的会谈、鼓励病人去克服症状。上述治疗方法疗效缓慢且效果不佳。

经颅微电流刺激疗法(Cranial electrotherapy stimulation,简称CES),是一种与传统药物治疗、电抽搐治疗完全不同的治疗方法,是通过低强度微量电流刺激大脑,改变患者大脑异常的脑电波,促使大脑分泌一系列与焦虑、抑郁、失眠疾病存在密切联系的神经递质和激素,以此实现对这些疾病的治疗。申请号为2017203900114的中国实用新型专利申请公开了一种靳三针儿童脑病治疗仪,该脑病治疗仪就是采用的CES方法,其主要是通过仪器刺激固定的几处穴位。

经颅微电流刺激疗法缺乏针对失忆症患者的脑部损伤部位或脑部神经退化部位的有效刺激,其仅对头部固定的几处学位反复刺激,这属于宽泛性的电流刺激,缺乏精确性。因此,在采用CES治疗失忆症时效果不够显著。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的是提供针对治疗失忆类脑病的中医治疗仪,该中医治疗仪解决了现有CES经颅微电流刺激疗法属于宽泛性的电流刺激,缺乏精确性的技术问题。

本发明通过以下技术手段解决上述技术问题:

本发明的针对治疗失忆类脑病的中医治疗仪,包括脑电采集装置和脑电刺激装置,所述脑电采集装置包括第一头罩、矩阵式铺设在第一头罩内侧的多个脑电采集模块;所述脑电刺激装置包括第二头罩、矩阵式铺设在第二头罩内侧的多个刺激单元;还包括放大器、A/D转换器、控制器,所述控制器包括存储器、处理器、D/A转换电路、滤波电路、采样电路、脉冲放大电路,所述脑电采集模块、放大器、A/D转换器、存储器、处理器依次连接,所述处理器、D/A转换电路、滤波电路、采样电路、脉冲放大电路、刺激单元依次连接;所述第一头罩与第二头罩的外形相同,所述多个脑电采集模块位于第一头罩上面的位置与多个刺激单元位于第二头罩上面的位置一一对应,设第一头罩上面某一位置处的脑电采集模块的编号为模块A,设第二头罩内与模块A位置相对应的位置处的刺激单元的编号为刺激单元A,由模块A采集的脑电信号经由放大器的信号调理放大、A/D转换器的模数转换和控制器的控制调节后发送至刺激单元A上输出。

优选的,所述脑电采集模块包括电极片A,所述第一头罩内壁上对应每个电极片A的位置处设置有盲孔A,所述盲孔A内设置有与所述盲孔A滑动配合的绝缘柱A,所述绝缘柱A的一端伸出所述盲孔A并与所述电极片A的背面连接,所述绝缘柱A上套设有弹性元件A,所述弹性元件A的一端连接在第一头罩内壁上、另一端连接在电极片A的背面。

优选的,所述绝缘柱A的端部与电极片A的背面采用柔性材料连接。

优选的,所述刺激单元A为电针或电极片B。

优选的,所述刺激单元A为电极片B,所述第二头罩内壁上对应每个电极片B的位置处设置有盲孔B,所述盲孔B内设置有与所述盲孔B滑动配合的绝缘柱B,所述绝缘柱B的一端伸出所述盲孔B并与所述电极片B的背面连接,所述绝缘柱B上套设有弹性元件B,所述弹性元件B的一端连接在第一头罩内壁上、另一端连接在电极片B的背面。

优选的,所述绝缘柱B的端部与电极片B的背面采用柔性材料连接。

本发明的有益效果:

本发明的针对治疗失忆类脑病的中医治疗仪,包括脑电采集装置和脑电刺激装置,所述脑电采集装置包括第一头罩、矩阵式铺设在第一头罩内侧的多个脑电采集模块;所述脑电刺激装置包括第二头罩、矩阵式铺设在第二头罩内侧的多个刺激单元;还包括放大器、A/D转换器、控制器,所述控制器包括存储器、处理器、D/A转换电路、滤波电路、采样电路、脉冲放大电路,所述脑电采集模块、放大器、A/D转换器、存储器、处理器依次连接,所述处理器、D/A转换电路、滤波电路、采样电路、脉冲放大电路、刺激单元依次连接。本发明的针对治疗失忆类脑病的中医治疗仪能够提供比现有手段更为精确的电流刺激,可用于治疗失忆类脑病。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述。

图1为本发明针对治疗失忆类脑病的中医治疗仪的立体结构示意图;

图2为图1中A区所示区域放大示意图;

图3为本发明针对治疗失忆类脑病的中医治疗仪的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图对本发明进行详细说明:

如图1-3所示,本实施例中的针对治疗失忆类脑病的中医治疗仪,包括脑电采集装置和脑电刺激装置,所述脑电采集装置包括第一头罩1、矩阵式铺设在第一头罩内侧的多个脑电采集模块;所述脑电刺激装置包括第二头罩2、矩阵式铺设在第二头罩内侧的多个刺激单元;还包括放大器、A/D转换器、控制器,所述控制器11包括存储器、处理器、D/A转换电路、滤波电路、采样电路、脉冲放大电路,所述脑电采集模块、放大器、A/D转换器、存储器、处理器依次连接,所述处理器、D/A转换电路、滤波电路、采样电路、脉冲放大电路、刺激单元依次连接;所述第一头罩与第二头罩的外形相同,所述多个脑电采集模块位于第一头罩上面的位置与多个刺激单元位于第二头罩上面的位置一一对应,设第一头罩上面某一位置处的脑电采集模块的编号为模块A,设第二头罩内与模块A位置相对应的位置处的刺激单元的编号为刺激单元A,所述刺激单元A为电极片B7,由模块A采集的脑电信号经由放大器的信号调理放大、A/D转换器的模数转换和控制器的控制调节后发送至刺激单元A上输出。具体地,所述脑电采集模块包括电极片A3,所述第一头罩内壁上对应每个电极片A的位置处设置有盲孔A4,所述盲孔A内设置有与所述盲孔A滑动配合的绝缘柱A5,所述绝缘柱A的一端伸出所述盲孔A并与所述电极片A的背面连接,所述绝缘柱A上套设有弹性元件A6,所述弹性元件A的一端连接在第一头罩内壁上、另一端连接在电极片A3的背面。所述第二头罩内壁上对应每个电极片B7的位置处设置有盲孔B8,所述盲孔B内设置有与所述盲孔B滑动配合的绝缘柱B9,所述绝缘柱B的一端伸出所述盲孔B并与所述电极片7B的背面连接,所述绝缘柱B上套设有弹性元件B10,所述弹性元件B的一端连接在第一头罩内壁上、另一端连接在电极片B的背面。

做为上述技术方案的进一步改进,所述绝缘柱A的端部与电极片A的背面采用柔性材料连接,所述绝缘柱B的端部与电极片B的背面采用柔性材料连接。通过将绝缘柱A或绝缘柱B的端部与电极片A或电极片B的背面采用柔性材料连接使得电极片A与电极片B的表面能够与人体脑部表面紧密贴合。

本发明的针对治疗失忆类脑病的中医治疗仪的工作原理:治疗失忆患者脑病的时候,将第一头罩和第二头罩分别佩戴在关联人物的头部和脑病患者的头部,所述关联人物为与脑病患者长期接触的家人或者朋友,通过关联人物来回忆脑病患者所忘记的事物,脑电采集装置采集到关联人物的脑电信号,由模块A采集的脑电信号经由放大器的信号调理放大、A/D转换器的模数转换和控制器的控制调节后发送至刺激单元A上输出,由于不同的人在通过大脑发出同一指令或思考同一画面时人脑发出的脑电波部位和波形大体相同,进而通过采集关联人物回忆与脑病患者共同经历的事物产生的脑电波,并将该脑电波转换后发送至刺激单元A上输出可精确地刺激到失忆患者的脑部患病部位。

实例1:患者男,57岁,阿尔兹海默症轻症患者,症状:记忆力障碍、轻微失语;患者来长春中医药大学附属医院就诊后,经过本申请的中医治疗仪治疗,每天早中晚各一个小时,坚持治疗二个月,记忆力得到明显改善,失语症状得到缓解,有效地抑制了病情的恶化;

实例2:患者女,42岁,脑部受创后引发失忆症,症状:对很多熟人失去记忆;来长春中医药大学附属医院就诊后,经过中医治疗仪治疗,每天早中晚各一个小时,坚持治疗一个月,能恢复大部分记忆,疗效显著。

最后说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

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