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包含具有压缩应力AlGaAsP层的垂直共振腔表面放射激光二极管(VCSEL)

摘要

一种包含具有压缩应力AlGaAsP层的垂直共振腔表面放射激光二极管(VCSEL),包括GaAs基板、下DBR层、下间隔层、主动区、上间隔层及上DBR层。下DBR层或上DBR层分别包含多层的低折射率层及多层的高折射率层,下DBR层、下间隔层、上间隔层或上DBR层包含AlxGa1‑xAs1‑yPy,其中AlxGa1‑xAs1‑yPy的晶格常数大于GaAs基板的晶格常数,借此适度减少因为晶格不匹配而产生过大的压缩应力或避免长晶时产生拉伸应力,从而减少VCSEL磊芯片变形翘曲或制造时发生破片的机会,或避免VCSEL磊晶层因累积过大的压缩应力或因长晶时产生拉伸应力,其中拉伸应力越大越容易引起缺陷或差排,过多的缺陷或差排会使VCSEL的可靠度不佳。

著录项

  • 公开/公告号CN112242642A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 全新光电科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202010691407.9

  • 发明设计人 黄朝兴;金宇中;戴文长;

    申请日2020-07-17

  • 分类号H01S5/183(20060101);H01S5/028(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;王锦阳

  • 地址 中国台湾桃园市

  • 入库时间 2023-06-19 09:36:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-12

    授权

    发明专利权授予

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