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三种低频低强度短时磁刺激模式对突触可塑性LTP调控效应的分析方法

摘要

本发明提出了三种低频低强度短时磁刺激模式对突触可塑性LTP调控效应的分析方法,实验结果表明,三种模式磁刺激均会对突触可塑性LTP产生一定程度的抑制,其中,连续正弦磁场的抑制效果最为显著,而另外两种的抑制效果相对较弱,且随着时间的增大,三种模式的抑制效果更为明显。本发明通过Agilent 83712信号源产生正弦信号,通过Master‑8可编程刺激器产生脉冲和节律信号,经功率放大器PB717X放大后,产生频率为15Hz,强度为2mT的低频低强度磁场信号,对离体海马脑片实现了10s,20s,40s,60s的短时刺激,并采用多电极阵列记录到LTP信号,对于探究磁刺激对学习和认知的影响机制提供了依据。

著录项

  • 公开/公告号CN112175938A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津工业大学;

    申请/专利号CN202010998426.6

  • 申请日2020-09-22

  • 分类号C12N13/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300387 天津市西青区宾水西道399号

  • 入库时间 2023-06-19 09:26:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-22

    授权

    发明专利权授予

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