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公开/公告号CN112189335A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-05
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201980033191.2
发明设计人 A.古普塔;M.萨皮恩扎;F.方塔内尔;A.本戴尔;
申请日2019-05-20
分类号H04N5/374(20060101);H04N5/369(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人贾洪菠
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 09:24:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-23
授权
发明专利权授予
机译: CMOS辅助内输出动态视觉传感器跟踪,用于低功耗移动平台
机译: CMOS辅助内外动态视觉传感器跟踪,用于低功耗移动平台
机译: 用于低功耗移动平台的CMOS辅助内外动态视觉传感器跟踪
机译:用于低功率宽带包络跟踪的宽带CMOS堆叠式RF功率放大器
机译:具有光伏辅助和自vth消除方案的差分驱动CMOS整流器,用于低输入功率条件下的高功率转换效率
机译:使用全耗尽型绝缘体上硅CMOS技术开发用于低红外图像传感器的低功率低温读出集成电路
机译:基于像素内增益放大器的事件驱动的物理不可克隆功能,用于CMOS动态视觉传感器
机译:低功率CMOS传感器,用于检测飞机接线中的故障。
机译:具有高灵敏度动态范围和功率效率的CMOS安培ADC用于空气质量监测
机译:低动态功率和低泄漏功率90纳米CmOs平方根电路
机译:用于遥感,星跟踪,光通信和低成本太阳能电池阵列/天线臂部署计量的第二代超低功率CmOs有源像素传感器成像器的进展