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一种PVT法中碳化硅粉源的回收方法

摘要

本发明涉及一种PVT法中碳化硅粉源的回收方法,属于晶体生长原料回收技术领域。为解决现有PVT法中碳化硅粉源无法回收再利用的问题,本发明提供了一种PVT法中碳化硅粉源的回收方法,首先通过静电分离将PVT法碳化硅晶体生长过程中产生的固体混合物废料中的富碳粉和石墨颗粒分离,向所得富碳粉中加入硅粉,反应得到碳化硅粉。与原有未经PVT法生长使用的碳化硅粉末比较,杂质含量几乎没有区别,甚至回收所得碳化硅粉的部分杂质含量更低,实现了碳化硅粉源的回收。本发明通过PVT法中碳化硅粉源的回收再利用降低了碳化硅晶体生长的原料成本,而分离出的石墨颗粒经过处理可作为碳化硅粉制备的原料,实现了分类回收利用。

著录项

  • 公开/公告号CN112158845A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202011090752.3

  • 发明设计人 不公告发明人;

    申请日2020-10-13

  • 分类号C01B32/984(20170101);C01B32/215(20170101);

  • 代理机构23209 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹徐婷

  • 地址 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号

  • 入库时间 2023-06-19 09:24:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B32/984 专利申请号:2020110907523 申请公布日:20210101

    发明专利申请公布后的视为撤回

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