基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列

摘要

本发明涉及集成电路技术领域，涉及一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列。所述方法包括：在电路设计双互锁存储单元DICE结构的基础上，在不能共用源端和漏端的起开关作用的NMOS管之间增加NMOS隔离管，增加的所述NMOS隔离管的栅极接GND。解决了现有版图技术中，相邻NMOS管之间，在总剂量辐射下会产生漏电流的问题。对电路设计中敏感MOS管在版图方面进行交叉布局，拉大敏感节点的距离，从而大大降低单粒子辐射时电路翻转的概率。达到了在没有影响功能的前提下使得SRAM存储单元及阵列具有抗辐射能力的效果。