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一种基于氧化铟/硫化铟/硫铟镉自供能光电化学传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于In2O3/In2S3/CdIn2S4异质结构的自供能光电化学免疫传感器的制备方法及应用。本发明一方面利用In2O3/In2S3/CdIn2S4异质结构为光电阳极基底材料提供稳定的光电流,In2O3、In2S3和CdIn2S4匹配的能带结构以及独特的空心多孔结构使得In2O3/In2S3/CdIn2S4异质结构具有良好的光电响应。另一方面,利用具有优异导电性的聚多巴胺/碳纳米管复合材料为生物阴极,多巴胺与生物分子之间很容易发生Michael加成反应,为无机半导体纳米材料与生物分子的连接提供了基础,提高了传感器的稳定性和灵敏度。本发明构建的自供能光电化学自供能传感器具有较宽的检测范围,较高的灵敏度和较低的检出限,对非小细胞肺癌标志物细胞角蛋白19片段CYFRA 21‑1的检测具有重要意义。

著录项

  • 公开/公告号CN112114014A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 济南大学;

    申请/专利号CN202010768268.5

  • 申请日2020-08-03

  • 分类号G01N27/30(20060101);G01N27/36(20060101);G01N27/327(20060101);G01N27/38(20060101);G01N33/574(20060101);

  • 代理机构37240 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业);

  • 代理人赵凤

  • 地址 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

  • 入库时间 2023-06-19 09:16:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-26

    授权

    发明专利权授予

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