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用于深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器的高电压生成的方法和设备

摘要

本发明公开了用于生成深度学习人工神经网络中使用的模拟神经存储器中特定编程操作所必需的高电压的高电压生成算法和系统的多个实施方案。还公开了不同的校准算法和系统。任选地,可利用补偿措施,补偿措施在正被编程的单元的数量改变时补偿电压或电流的变化。

著录项

  • 公开/公告号CN112106140A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅存储技术股份有限公司;

    申请/专利号CN201980029361.X

  • 申请日2019-04-08

  • 分类号G11C16/10(20060101);G11C16/30(20060101);G11C16/12(20060101);G11C16/34(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陈斌

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 09:13:40

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