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公开/公告号CN112054768A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆西南集成电路设计有限责任公司;
申请/专利号CN202010908303.9
发明设计人 吴炎辉;范麟;兰庶;徐振洋;余晋川;万天才;刘永光;徐骅;
申请日2020-09-02
分类号H03B5/04(20060101);H03B5/36(20060101);
代理机构50239 重庆市诺兴专利代理事务所(普通合伙);
代理人卢玲
地址 401332 重庆市南岸区南坪花园路14号
入库时间 2023-06-19 09:10:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-27
授权
发明专利权授予
机译: 振荡器电路和L负载差分电路实现宽的振荡频率范围和低相位噪声特性
机译:基于新型谐波控制电路的输出匹配网络的低相位噪声压控振荡器
机译:一种应用于DRM/DAB频率综合器的宽带低相位噪声LC压控振荡器
机译:用带噪函数值和带噪梯度解决非线性规划问题
机译:一种新型CMOS带隙参考电路,具有提高的高阶温度补偿
机译:CMOS技术中低相位噪声压控振荡器(VCO)的比较研究。
机译:一种用于提高电感接近传感器测量精度的非线性温度补偿模型及其专用集成电路实现
机译:考虑组件非线性方程的RF LC谐振电路压控振荡器的分叉分析方法[考虑组件非线性方程的RF LC谐振电路压控振荡器的分叉分析方法]
机译:用特征系数确定带噪方阵的秩